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Para simplificar a idéia mentalmente o que é, imaginá-la como uma espécie de Darlington em que o primeiro transistor driver foi substituído por um MOSFET. IGBT IGBT como melhorar o desempenho. Ao escolher um gerador aleatório de ondas (AFG, gerador de função arbitrária) com amplitude de saída de alta, e um oscilador para a medição das características de saída, Ele é capaz de produzir gráficos com a representação das características de interesse. MOSFET e IGBT COMPARAÇÃO. MOSFETs são preferidos em aplicações de alta frequência (acima 200 kHz), na presença de grandes variações na linha de carga ou, ciclo longo, voltagens baixas (abaixo 250 V) e um menor consumo de energia 500 W. Alguns exemplos clássicos de aplicações incluem a mudança de alimentação e carregadores de bateria. IGBT REAIS. Primeiro, você deve ler os dados componente, tomar por exemplo um STGW80H65DFB, definido pelo fabricante como sendo 650 V, 80 Uma alta velocidade – portão Trench campo-stop IGBT. A tensão máxima de VCE e o IC de corrente máxima são as principais características do componente e pode variar muito entre as várias abreviaturas. O VGE máxima tensão é um valor comum a quase todos os IGBTs Com TJ temperatura junção significa o máximo (e também um mínimo) temperatura que pode ser alcançada no interior do componente. Esta tabela mostra alguns valores “recomendado”, em condições estáticas, isto é, sem alterações ao longo do tempo rápidos. Esta tabela descreve as características do IGBT durante a comutação de ligado para desligado, e vice-versa. É uma forma de apresentar carteira de habilitação e registro taxas de serviços sua marca ao mundo e mostrar o que você tem a oferecer.

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