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Características de capacitância do portão. Em contraste com os MOSFETs de potência, o IGBT não envolve um diodo parasita . Isso deve ser considerado ao projetar um projeto de circuito IGBT de ponte H crítica. O dispositivo transistor bipolar de porta isolada (IGTB) é um tipo de dispositivo semicondutor de potência de três terminais que é basicamente usado como chave eletrônica e também é conhecido por fornecer uma combinação de comutação extremamente rápida e alta eficiência nos dispositivos mais novos. O MOSFET é um tipo de transistor de efeito de campo que é usado em circuitos integrados digitais como microcomputadores. O MOSFET é um dispositivo controlado por tensão. Tem um terminal de porta em vez de uma base, separado de outros terminais por filme de óxido. Leon bet 83.Let’s vow to live and die together.
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