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The figure-4 depicts IGCT circuit symbol. Following points summarize useful comparison between IGCT and IGBT: ➨IGBT has high switching frequency compare to IGCT. ➨IGBT lifetime is ten times greater than IGCT. ➨IGCT has low ON state voltage drop. ➨IGCT are made like normal disk devices which has high electro-magnetic emission. They also have cooling problems. Advantages and disadvantages of BJT Advantages and disadvantages of MOSFET Advantages and disadvantages of FET. What is IGBT? Based upon the construction and principle of operation, the MOSFETs are of following four types − Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à alta impedância de entrada dos transistores de efeito de campo, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. É controlado por uma tensão. Por outro lado, os transistores de efeito de campo MOS de potência podem também controlar potências elevadas com muitas vantagens pelo fato de que exigem tensão para o disparo, pois embora sejam dispositivos de alta impedância, têm como desvantagem uma baixa velocidade de comutação devida às capacitâncias de comporta que aumentam com a intensidade de corrente (largura do canal) que deve ser controlada.
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