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The coolant selected was water, with an inlet temperature of 25 °C, and thermal conductivity of 0.648 W·m −1 ·K −1 . IGBT chip material is Si, SBD chip material is SiC, the substrate material is AlSiC, heatsink material is aluminum alloy, and the specific properties of each part are shown in Table 1. Temperature field boundary conditions: In simulation calculations, the chips are used as heat sources, and the power losses are directly loaded on the power module to simulate the heat of the chips. When the device is in a long-term state, the total power losses of the module will be composed of the loss of the IGBT chips and the SBD chips. After calculation, the loss of an IGBT chip is 115 W, and the loss of an SBD chip is 20 W. According to the actual work situation, the ambient temperature is 25 °C, and the convective heat transfer coefficient between the surface of the heatsink and the air is 5 W·(m 2 ·°C) −1 . 4. Analysis of Simulation Results. It can be seen from Figure 8a that as the heat source of the IGBT heat dissipation module, the chips have the highest temperature. The heat emitted by the chip diffuses downward from the bottom of the chip, and the heat dissipation and diffusion area after each layer increase continuously. Jogos de casino gratis em portugal.R$ 288,00 9x de R$ 32,00. R$ 288,00 (21% off) Ver produto » Camisa Plus Size Manga Bufante 3/4 com Elástico Odemira.
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