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Hence these IGBT can be used in rugged switching designs. How to use FGA15N120. Similar to MOSFET in IGBT also the gate pin has to be trigger with the minimum gate voltage to close the switch. Here in FGA15N120 the minimum gate saturation voltage is 4.5V but normally 5V is used in designs, the required gate trigger voltage can be calculated using the collector emitter voltage and collector current that has to be switched, using the graph in the datasheet as shown below. When IGBT is used in switching circuits, care should be taken that it is not used in high frequency designs since the collector emitter voltage drop (switching loss) of the IGBT increase with increase in switching frequency. The graph for the same can be found in datasheet. High Voltage, high current switching devise Induction Heating Microwave Oven Large Solenoids Tesla Coils Converters or Inverter circuits. If you are designing a PCB or Perf board with this component then the following picture from the FGA15N120 Datasheet will be useful to know its package type and dimensions. 下面就让我们对这款IGBT芯片的电气参数有个大概的了解吧。该芯片在 100°C 时可以通过 117.5A 的直流电流。从图4可以看出，模块内部单个IGBT器件一共包含12个IGBT芯片，所以总电流为：117.5*12=1412A，与IGBT模块手册中的1400A额定电流基本一致. 为了保证IGBT芯片之间的均流效果，在每个芯片的栅极内部集成了一个11.5Ω的电阻。同时，考虑到DBC之间的均流，每个DBC上的两个芯片对外共用一个栅极电阻，如图10所示，用万用表测量时，阻值约为4.13Ω。可以结合图9计算一下，看是否与IGBT模块手册中的1.6Ω一致。当然，更详细的IGBT芯片参数可以参考官方手册。 三、 IGBT 内部电流流动. Carrocom isenção paga taxa de lacração e registro.13 September um 3:00 (Mexiko. LNBP) Live.
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