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Although this resistance may be measured directly by a multimeter by floating the collector as described in [23], it is important to have a complete I–V curve, as it is the main characteristic of the IGBT under test [24]. Moreover, combining this parameter with the threshold gate voltage can provide valuable information about an IGBT’s state of health. Liu et al. [34] examined the effect of degradation on the IGBT’s I-V characteristic curve and transient thermal impedance. A shift of I–V curve and an increase in internal resistance could be seen, but the employed method to extract the I–V curve is not clear in this study. Luo et al. [35] modelled the characteristics of an IGBT based on instantaneous on-state resistance ( R CE ( ON ) ). In this model, the on-state resistance is a function of the junction temperature ( T j ) and collector current ( I C ). They showed that the R CE ( ON ) resistance increases by raising the temperature, but the section related to the relation of this resistor to bond-wire failure is incomplete and cursory. A similar study is provided in [36]. A aparência escura se tornou uma possibilidade de customização nas opções de configuração lvbet bonus powitalny de tela. Football rules for dummies.51-74, 2017.
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