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Este circuito serve para a maioria dos IGBTs comuns e é simples de implementar. Também podemos utilizá-lo com finalidade didática para demonstrar as características deste componente. Neste circuito o osciloscópio é ajustado para a função B/A, ou seja, sinais do eixo Y em função do eixo X e a sensibilidade típica dos dois eixos é de 2 V/div. Na figura 29 temos o sinal que deve ser observado para um IGBT em bom estado na simulação feita no Multisim. Os valores dos componentes utilizados podem ser alterados assim como os sinais de prova, em função das características do IGBT testado. Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à alta impedância de entrada dos transistores de efeito de campo, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. Veja neste artigo o que é o IGBT e quais são suas características principais. Por outro lado, os transistores de efeito de campo MOS de potência podem também controlar potências elevadas com muitas vantagens pelo fato de que exigem tensão para o disparo, pois embora sejam dispositivos de alta impedância, têm como desvantagem uma baixa velocidade de comutação devida às capacitâncias de comporta que aumentam com a intensidade de corrente (largura do canal) que deve ser controlada. A ESTRUTURA DO IGBT. Estrutura de um MOS-FET. Conforme podemos observar, a única diferença que existe nas duas estruturas é a presença de uma zona p no IGBT. Com o aumento de condutividade consequente da camada n, pode-se reduzir a tensão no estado ON do IGBT. Características de POWER MOSFET (a) e do IGBT (b) (comparadas). O que acontece é que a resistência Rdson (resistência entre dreno e fone em condução) é influenciada principalmente por uma região central pouco dopada, o que é essencial para se obter uma capacidade de bloqueio da tensão.

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