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ROHM’s IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters, and switching power supplies. Die IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) von ROHM tragen dazu bei, einen höheren Wirkungsgrad und Energieeinsparungen für ein breites Spektrum von Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen. Field Stop Trench IGBT Ignition IGBT FRD for IGBT Module Discrete Bare Die 600V 600V 400V 650V 650V 650V 1200V 1200V 430V 1200V 1800V 1800V. In recent years, global efforts to reduce environmental burden and achieve a carbon-neutral and decarbonized society have spurred the proliferation of electrified vehicles (xEV). At the same time, the diversification of power semiconductors used in various vehicle inverter and converter circuits necessary to configure more efficient systems is currently underway, along with technological innovation of both ultra-low-loss SiC power devices (i.e. SiC MOSFETs, SiC SBDs) and conventional silicon power devices (e.g. IGBTs, Super Junction MOSFETs). • Reduces loss by 67% vs conventional IGBTs, providing optimal cost performance for popular automotive electrical control units and industrial equipment The breakthrough RGWxx65C series utilizes an SiC SBD as the freewheeling diode for the IGBT. ROHM low-loss SiC SBDs significantly reduce turn ON loss over silicon fast recovery diodes (FRDs) used in conventional IGBTs. This reduces loss by 67% over conventional IGBTs and 24% over SJ MOSFETS (which generally provides lower loss than IGBTs) when used in vehicle chargers. Stj acoes suspensas taxa de registro e avaliação.[ 6 ] 1 Honras 1.1 Simples: 9 (4 títulos, 5 vices) 1.2 Duplas: 4 (2 títulos, 2 vices) 1.3 Copa Hopman: 1 (1 título) Simples: 9 (4 títulos, 5 vices) Editar.
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