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Figura 18 – Circuito térmico de um IGBT. It has been described as six to seven feet tall and covered fla river plate with dark hair. R θJC – Resistência térmica da junção para o invólucro (Thermal Resiarance, Junction to Case) – e a resistência encontrada pelo calor gerado para passar da junção do componente para seu invólucro. Depende do modo como o componente é fabricado, sendo especificada pelo fabricante. As aplicações industriais que envolvem o controle de potência em inversores, aquecimento indutivo, controle de motores, fontes chaveadas, etc. se baseiam em dois tipos principais de componentes: o IGBT e o MOSFET de potência. Neste item analisamos as principais diferenças entre os dois tipos de dispositivos. Em especial, as características dos semicondutores de potência mais usados para esta finalidade, que são o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e o MOSFET de potência (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), deixam qualquer profissional em dúvidas. Para um MOSFET comum de alta tensão a resistência Rds(on) (resistência entre o dreno e a fonte quando o transistor está saturado) é relativamente elevada justamente devido à esta estrutura unipolar. Mas, existem ainda diferenças grandes em relação ao tempo que o dispositivo leva para desligar. Isso significa que o tempo de desligamento de um MOSFET pode ser desprezado quando comparado ao de um IGBT, nas aplicações que envolvem sinais de frequências elevadas. É claro que a necessidade de se ter sistemas com cada vez menor tamanho e melhor desempenho, faz com que as exigências para as características dos dois tipos de componentes sejam cada vez mais importantes ao se escolher um desses componentes para um projeto.
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