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Application. The IGBT is a semiconductor device that combines the output characteristics of a bipolar transistor and the gate drive characteristics of a MOSFET. So, the IGBT is a minority-carrier device with high input impedance and high current-carrying capability. Compared to MOSFETs, IGBTs also are better suited to scale in current handling capability at higher voltage levels due to their bipolar output characteristics. The main advantages of an IGBT over a power MOSFET are the much lower on-state voltage drops due to conductivity modulation. This feature translates to a smaller chip size compared to that for a MOSFET for the same current and voltage ratings. The balance in tradeoffs between switching and conduction losses is being fine tuned so the line between IGBTs and MOSFETs is blurring in many applications. This leads us to the question of how these devices compare in a given application. This is in some ways counter to conventional wisdom where it is often argued that MOSFETs perform better at higher switching frequencies. Statistique paris sportif.Palmeiras Store a loja oficial do Palmeiras na internet.
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