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驱动芯片选取：选取性能优良的专用驱动芯片，提供高速、低耗能、低驱动电流等特点，以满足大功率 IGBT 的驱动需求。 大功率 IGBT 保护 技术 主要是为了保证 IGBT 的安全运行，避免因过载、温度过高、短路等因素造成损坏。以下是一些常见的保护 技术 ： 1. 过压保护：监测 IGBT 的输入电压，当电压超过预设范围时，立即切断驱动信号，保护 IGBT 不受高电压的影响。 2. 过流保护：监测 IGBT 的输出电流，当电流超过额定值时，立即切断驱动信号，保护 IGBT 免受过大电流的损害。 3. 过温保护：监测 IGBT 的温度，当温度超过临界值时，及时降低功率或切断驱动信号，防止 IGBT 因过热而损坏。 4. 短路保护：检测 IGBT 输入和输出之间是否存在短路，一旦发现短路情况，立即切断驱动信号，避免 IGBT 烧毁。 综上所述，大功率 IGBT 驱动与保护 技术 是为了确保 IGBT 在高功率工作条件下的稳定运行和可靠性保证而采取的一系列 技术 手段。 일반적으로 쓰이는 n-channel MOSFET에 P형 주입층이 더해져 캐리어를 형성하도록 해서 만드는데, 실제 제조 과정은 복잡하다. 다만, IGBT가 불리한 부분도 있는데, 일단 P형 주입층 덕분에 캐리어가 많이 들어가게 되고, 절연된 게이트는 충전용량을 가지기 때문에 턴-온 시간은 몰라도 턴-오프 시키는 데 일반적인 스위칭 기법(즉, 게이트 전압이 0에서 문턱 전압(Threshold)을 왔다갔다 하는)으로는 kHz 이상의 속도를 내기 힘들다. 그래서 전용 드라이버 IC도 있으며, IGBT의 구동단은 트랜스를 이용해 절연할 뿐만 아니라, 구동 전압 역시 게이트 전압이 ±15V로 움직여야 해서 복잡하다. 최근의 IGBT는 발전한 MOSFET의 특성에 상당수 추격 당하다 보니 조금 다른 방향으로 발전하고 있다. MOSFET의 게이트 면적이 작아 낮은 충전 용량을 가져 고속 스위칭이 가능하다 → IGBT 의 경우 게이트를 광전자식으로 구성하며 게이트의 크기를 키워 높은 전류로 게이트를 드라이브, MOSFET 에 비해 손색 없을 정도로 높은 스위칭이 가능하도록 하였다. 일례로 인피니언 사의 RENCHSTOP™ 5 라인업 제품군 중 F5 군 제품은 최고 효율 구동주파수가 120kHz 에 달하는 엄청난 스위칭 성능을 가진다. 오디오용 앰프에도 IGBT의 사용이 가능하며, 일부 SR용 파워앰프에 도입되었다. 2. Independiente medellin x atlético bucaramanga.J. (2012).
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