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A estrutura PT (Punch Through = socada através) tem camadas epitaxiais características e uma região N+ dopada (camada buffer) e uma região N- sobre um substrato dopado com polaridade p. O tempo de vida dos portadores de carga é minimizado pela forte difusão de metal, ou por radiação de alta energia. Em ambos os casos a estrutura de célula de um IGBT típico é formada do lado frontal. OS IGBTs são componentes usados principalmente como comutadores em conversores de frequência, inversores, etc. Esta proteção é feita com o uso de diodos. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tensão. Isso faz com que apareça uma corrente que se soma à corrente da carga, a qual é chamada de corrente reversa de recuperação do diodo ou Irr. O máximo da corrente Irr ocorre quando a soma das tensões instantâneas sobre o IGBT e o diodo igualam a tensão de alimentação, de acordo com exemplo no gráfico da figura abaixo. Resenhas de portugal sub 19 ao vivo produtos.
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