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Uma comparação entre geral BJT, MOSFET e IGBT estão apresentados na tabela a seguir. The priority here is to design the circuit as simple as possible and to perform this measurement technique with minimal laboratory equipment. When the IGBT under test is placed at the low side, the gate voltage of the IGBT can directly be supplied from a voltage source, but the auxiliary switch must be controlled by an isolated/floating voltage pulse. This means that a floating DC source is needed to supply the driver gate, which in turn can complicate the system. Figure 2 represents the way how to connect the floated ground with the respective points in the circuit. Therefore, it is recommended that the IGBT under test is placed at the high side, and the auxiliary switch can be switched directly by a simple low-side gate driver or a high-current pulse generator (e.g., IXDI630CI-ND). In this case, the gate voltage of the DUT is supplied by an isolated DC/DC converter chip (CUI Inc. PQS075-S), which can offer an isolation level of 1.5 kV. The output voltage provided by this converter is internally regulated so that it always keeps the output voltage for supplying the gate constant at 15 volts. Here, an auxiliary switch similar to the test IGBT switch is selected (the typical switching frequency for the chosen IGBT ranges from 20 kHz to 30 kHz, which can provide the required pulse width 50 μs). The frequency of the signal generator is set to 1 Hz (1 s for each cycle); thus, a short current pulse 50 μs can be generated every one second during the cycle.
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