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IGBT in power electronics stands for Insulated Gate Bipolar Transistor. Muitos cassinos online oferecem uma ampla variedade de jogos de caça-níqueis grátis com csmaritimo rodadas bônus, os jogadores podem ter certeza de que estão jogando em um ambiente seguro e protegido. The Gate of MOSFET replaces the Base of BJT and acts as the controlling terminal. While Emitter E (or Source) and Collector C (or Drain) are in direct contact with a metal coating, Gate Terminal G is insulated with a Silicon Dioxide layer that generates a potential difference. The space between Gate Terminal G and the other two terminals E and C denotes the insulating layer of Silicon Dioxide. (Source: Venus Kohli) Two terminals of the IGBT: Collector and emitter are directly connected to metal coating but the Gate terminal is not connected to the device. An insulating layer of Silicon Dioxide is embedded between the gate terminal and the metal. The presence of a Silicon Dioxide insulating layer builds a capacitance denoted by C. (Source: Venus Kohli) Injecting layer: The layer closest to the collector terminal is called the P + drain or injection layer. We can say that a P + layer is added to a Power MOSFET to design an IGBT Transistor. Drain drift region: Just above the N + Buffer layer, there is an N - drift region in the IGBT structure. A junction J 2 forms between the N - drift region and the P-type body region. The P + injection layer, N - drift region, and P-type emitter form the PNP transistor.
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