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Thyristoren sind Leistungsbauelemente und werden meistens in Anwendungen eingesetzt, in denen hohe Ströme und Spannungen auftreten. Die am häufigsten verwendete Thyristoranwendung ist die Steuerung von Wechselströmen. IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Terminals, die als ”Emitter”, ”Collector” und ”Gate” bezeichnet werden. Es ist ein Transistortyp, der eine höhere Leistungsmenge verarbeiten kann und eine höhere Schaltgeschwindigkeit aufweist, wodurch er hocheffizient ist. In Kürze: 1. Drei Anschlüsse des IGBT sind als Emitter, Kollektor und Gate bekannt, während der Thyristor als Anode, Kathode und Gate bekannte Anschlüsse aufweist. 3. IGBT ist eine Art von Transistor, und der Thyristor wird in der Analyse als Paar von Transistoren mit festem Paar betrachtet. 5.
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