Por fim, selecione o campo ”Interface” para que todas as funcoes disponiveis sejam automaticamente traduzidas. Uma vez que isso tenha sido feito, chegou a hora de explorar todas as ferramentas disponiveis. Assim, a area de trabalho do software, chamada de ”Janela de visualizacao 3D”, esta localizada no meio da pagina, entre as barras de ferramentas e status. A partir dela, e possivel acompanhar as mudancas do seu desenho a cada nova alteracao realizada, tendo uma previa de como ficara o seu trabalho final. Uma boa dica e recorrer a cursos do software disponiveis no YouTube. Isso porque, eles tambem sao direcionados a profissionais da area que desejam aprender um pouco mais sobre o uso do programa para aperfeicoar o trabalho.
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Esta capacidade de resistência a curto-circuito de um IGBT é comumente expressa em relação ao tempo tSC. Balde pix bet eleições de Gelo para 1 garrafa produzido em PP / polipropileno injetado com aplicação de logo estampado em silk localizado frente a traço ( o mesmo logo no verso em cortesia se for em 1cor ). Tensão do emissor-porta VGE : Com um aumento na tensão da porta, a corrente de curto-circuito também aumenta e a capacidade de tratamento de corrente do dispositivo diminui. Temperatura da caixa : Com o aumento da temperatura do case ΔTj do IGBT, a capacidade de suporte de corrente diminui, até que o dispositivo atinja a situação de quebra. Tensão de alimentação VCC: À medida que a tensão de alimentação de entrada para o dispositivo aumenta, a corrente de curto-circuito também aumenta, causando a deterioração da capacidade de suportar corrente do dispositivo. Durante o processo de desligamento com esta corrente substancial usando resistência de porta padrão Rg, pode causar o desenvolvimento de grande tensão de surto, excedendo a classificação do IGBT. Isso é para neutralizar a geração de sobretensão nos ledas do coletor-emissor do IGBT durante os períodos em que a corrente de curto-circuito é cortada. Deve-se tomar cuidado para garantir uma margem adequada de no mínimo 2 vezes o período de tempo padrão necessário para que o circuito de proteção contra curto-circuito comece a operar. A classificação máxima absoluta para a temperatura de junção da maioria dos dispositivos semicondutores Tj é 150 ℃, mas Tjmax = 175 ℃ é definida de acordo com os requisitos para dispositivos de nova geração para suportar as especificações de temperatura aumentadas. . A Tabela 3 mostra um bom exemplo das condições de teste para o IGBT RBN40H125S1FPQ, que foi projetado para resistir a 175 ℃ durante a operação em altas temperaturas do case. Dito isso, os campos de teste variam de acordo com as especificações do dispositivo. Da mesma forma, lembre-se de que o valor Tjmax não é apenas uma restrição para o trabalho constante, mas também uma especificação para a regulação que não deve ser superada nem por um momento.
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