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In N-channel MOSFETs, only electrons flow during forward conduction, and there are no minority carriers. Kogama: Ice esports apostas Race. The operation of an IGBT is very similar to a power MOSFET in terms of creating an inversion layer by means of applying sufficient gate-emitter voltage. This flow of electrons draws positive charges (holes) from the p-type substrate into the drift region. This significant increase in conductivity of the drift layer enables a dramatic reduction in the on-state voltage of the IGBT. The main advantages of an IGBT over a power MOSFET are the much lower on-state voltage drops due to conductivity modulation. This feature translates to a smaller chip size compared to that for a MOSFET for the same current and voltage ratings. The balance in tradeoffs between switching and conduction losses is being fine tuned so the line between IGBTs and MOSFETs is blurring in many applications. This leads us to the question of how these devices compare in a given application. Given the widespread availability of both IGBTs and high-voltage power MOSFETs with 500- to 800-V breakdown voltage ratings, designers often face the challenge of selecting either an IGBT or MOSFET for a given application and set of operating conditions.

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