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IGBTs are preferred for narrow load variations, whereas MOSFETs are preferred for wide load variations. IGBT is preferred for low frequency, high temperature, and low duty cycle applications, whereas MOSFET is preferred for high frequency, low temperature, and large duty cycle applications. Catalog. ④P-channel enhancement mode. As a new type of electronic semiconductor device, IGBT has the characteristics of high input impedance, low power consumption for voltage control, simple control circuit, high voltage resistance, and high current withstand, etc. It is widely used in various electronic circuits. The internal structure of MOSFET and IGBT is shown in the figure below. MOSFET and IGBT application characteristics. Puedes ver free download betwinner app la versión Española de BeSoccer.com. The C pole of the IGBT corresponds to the D pole of the MODS tube.

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